Module IGBT 7MBR75U4B120-50 transistor de puissance 1200V

Composant semi-conducteur d'infrastructure électrique

Le Module 7MBR75U4B120-50 se classe parmi les semi-conducteurs de puissance indispensables pour la modulation des courants alternatifs et continus. Ce boîtier compact renferme des transistors bipolaires à grille isolée capables de commuter des puissances massives avec un signal de commande minimal.

Contrôle précis et réduction de l'empreinte carbone

La finesse de contrôle offerte par ce dispositif permet d'ajuster l'énergie électrique au strict nécessaire requis par la charge mécanique. Cela élimine le gaspillage d'électricité dans les grands systèmes de ventilation des centres commerciaux ou des complexes hospitaliers, participant activement à la transition vers des bâtiments plus économes.

Données physiques et mécaniques du boîtier

La structure externe est conçue en résine époxy thermo-durcissable auto-extinguible pour une sécurité maximale en cas d'anomalie sur le réseau de distribution.

Les dimensions normalisées facilitent le dessin des circuits imprimés sous les logiciels de CAO électronique courants.