Transistor module IGBT SKM195GAL126DN pour commutation de puissance

Composant de commutation haute tension : Module SKM195GAL126D

Le domaine de l'électronique de puissance exige des composants capables de supporter des courants élevés tout en maintenant des vitesses de commutation de l'ordre de la microseconde. Le module d'alimentation IGBT SKM195GAL126D remplit cette fonction avec une grande précision structurelle.

Analyse fonctionnelle du module

Ce module combine la commande simple d'un transistor à effet de champ (MOSFET) avec la capacité de courant élevée d'un transistor bipolaire. Cette alliance permet de piloter des charges inductives lourdes avec un courant de commande minimal.

Détails des mesures techniques

1. Tension d'isolation interne : Assure la séparation de sécurité entre la partie commande basse tension et la partie puissance.
2. Robustesse aux courts-circuits : Temps de tenue garanti permettant aux protections électroniques de se déclencher avant la destruction du module.
3. Diode inverse intégrée : Caractéristiques de recouvrement souple pour minimiser les perturbations électromagnétiques.

Environnements d'installation

Ce transistor est conçu pour être installé au sein d'armoires électriques ventilées. Il convient pour le remplacement de modules sur les alimentations à découpage industrielles et les systèmes de gestion d'énergie renouvelable.